Datasheet下载- 型号： STE70NM60
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STE70NM60由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STE70NM60价格参考。STMicroelectronicsSTE70NM60封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STE70NM60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STE70NM60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STE70NM60是一款单N沟道MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的场景。其主要特点包括高耐压（600V）、大电流能力（70A）和低导通电阻，适用于开关电源、电机驱动、逆变器及工业自动化设备等高功率场合。此外，该器件也常见于家电控制电路、LED照明调光系统以及新能源领域的功率转换装置中，如太阳能逆变器和电动汽车充电模块。STE70NM60凭借其优异的热稳定性和可靠性，能够有效提升系统效率并减少能量损耗，是高性能功率电子设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STE70NM60 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 266nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | ISOTOP® |
| 其它名称 | 497-3173-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67271?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 600W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | ISOTOP |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A |
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