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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDH633605
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDH633605由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDH633605价格参考。Fairchild SemiconductorFDH633605封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDH633605参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDH633605 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDH633605 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，适用于多种电源管理和功率转换应用场景。其主要特点包括低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适合用于以下场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，用于提高能效并减少发热。 2. 负载开关：在电池供电设备中作为高效开关，控制电源流向不同模块。 3. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的驱动电路，提供快速开关响应。 4. LED照明：用于LED驱动电路中的开关元件，实现高效恒流控制。 5. 工业自动化：在PLC、传感器模块等工业设备中用于信号切换或功率控制。 该器件采用紧凑封装，适合对空间要求较高的设计，广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DO-35 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDH633605 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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