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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL2703PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL2703PBF价格参考。International RectifierIRLL2703PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLL2703PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLL2703PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRLL2703PBF的器件是一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理与开关控制场景。 该MOSFET的主要应用场景包括: 1. 负载开关与电源管理:适用于电池供电设备,如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等,用于控制电源通断,提高系统能效。 2. DC-DC转换器:在电源转换模块中作为高频开关元件,用于升压(Boost)或降压(Buck)电路中,实现高效能的电压调节。 3. 电机驱动与继电器替代:用于小型电机控制或继电器替代方案,实现快速开关与低功耗操作。 4. 工业自动化与控制设备:在PLC、传感器模块、工业通信设备中作为开关元件,实现信号或电源的高效控制。 5. 消费类电子产品:如智能家电、LED照明控制、智能插座等,用于实现节能与智能控制功能。 该器件采用8-PowerSO封装,具有低导通电阻、高可靠性和良好的热性能,适合高密度电路设计与空间受限的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 9.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLL2703PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLL2703PBF |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 9.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 2.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 2.4 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 530pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 3.9A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | *IRLL2703PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 6.9 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 80 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 80 |
| 正向跨导-最小值 | 5.9 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.9A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |