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  • 型号: IRLL2703PBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL2703PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL2703PBF价格参考。International RectifierIRLL2703PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLL2703PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLL2703PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRLL2703PBF的器件是一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理与开关控制场景。

该MOSFET的主要应用场景包括:

1. 负载开关与电源管理:适用于电池供电设备,如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等,用于控制电源通断,提高系统能效。

2. DC-DC转换器:在电源转换模块中作为高频开关元件,用于升压(Boost)或降压(Buck)电路中,实现高效能的电压调节。

3. 电机驱动与继电器替代:用于小型电机控制或继电器替代方案,实现快速开关与低功耗操作。

4. 工业自动化与控制设备:在PLC、传感器模块、工业通信设备中作为开关元件,实现信号或电源的高效控制。

5. 消费类电子产品:如智能家电、LED照明控制、智能插座等,用于实现节能与智能控制功能。

该器件采用8-PowerSO封装,具有低导通电阻、高可靠性和良好的热性能,适合高密度电路设计与空间受限的应用环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 9.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.5 A

Id-连续漏极电流

5.5 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLL2703PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRLL2703PBF

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

Qg-GateCharge

9.3 nC

Qg-栅极电荷

9.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

70 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

70 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1 V to 2.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1 V to 2.4 V

上升时间

24 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

530pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

45 毫欧 @ 3.9A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223

其它名称

*IRLL2703PBF

典型关闭延迟时间

6.9 ns

功率-最大值

1W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

80

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

80

正向跨导-最小值

5.9 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.9A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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