Datasheet下载- 型号： SI3460BDV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3460BDV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3460BDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3460BDV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3460BDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3460BDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3460BDV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高效率和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器和稳压电路中，提高电源转换效率。 2. 负载开关：在电池供电设备中作为电子开关，控制电源通断，降低待机功耗。 3. 电机驱动：用于小型电机或步进电机的驱动电路中，实现高效开关控制。 4. LED 照明：在 LED 驱动电路中作为开关元件，支持调光与节能功能。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中的电源控制模块。 该 MOSFET 采用小型封装，适合高密度 PCB 设计，广泛应用于中低功率场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3460BDV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 860pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 3.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
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