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  • 型号: IRFP31N50LPBF
  • 制造商: Vishay
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IRFP31N50LPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP31N50LPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP31N50LPBF价格参考。VishayIRFP31N50LPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 31A(Tc) 460W(Tc) TO-247-3。您可以下载IRFP31N50LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP31N50LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFP31N50LPBF是由Vishay Siliconix生产的N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。该型号具有高电压和大电流处理能力,适用于多种工业和电力电子应用场景。以下是其主要应用场景的简要说明:

 1. 开关电源(SMPS)
   IRFP31N50LPBF的高耐压特性(额定电压500V)使其非常适合用于开关电源中的主开关管或整流管。它能够承受高压瞬态,确保系统在高频开关条件下的稳定运行。

 2. 电机驱动
   该器件可用于工业电机驱动器中,控制直流电机或步进电机的运行。其低导通电阻(Rds(on) 典型值为0.68Ω)有助于减少功率损耗,提高效率,同时支持高效的PWM调制。

 3. 逆变器
   在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,IRFP31N50LPBF可以用作功率转换的关键元件。它能够在高压环境下高效切换,将直流电转换为交流电。

 4. 负载开关
   由于其出色的开关性能和耐用性,IRFP31N50LPBF可以用于各种负载开关应用,例如控制大功率LED灯、加热元件或电磁阀等设备的开启和关闭。

 5. DC-DC转换器
   在高压DC-DC转换器中,该MOSFET可用作同步整流器或开关元件,提供高效的电压转换功能,适用于汽车电子、通信设备等领域。

 6. 保护电路
   IRFP31N50LPBF还可以用于过流保护、短路保护等电路设计中,利用其快速开关特性和高可靠性来防止电路损坏。

 总结
IRFP31N50LPBF凭借其高电压、低导通电阻和优异的热性能,广泛应用于需要高效功率管理的场合,如开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关和保护电路等。其坚固的设计和广泛的温度范围(-55°C至+175°C)使其特别适合严苛的工作环境。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 31A TO-247ACMOSFET N-Chan 500V 31 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

31 A

Id-连续漏极电流

31 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP31N50LPBF-

数据手册

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产品型号

IRFP31N50LPBFIRFP31N50LPBF

Pd-PowerDissipation

460 W

Pd-功率耗散

460 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

180 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

180 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

115 ns

下降时间

53 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

210nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

180 毫欧 @ 19A,10V

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产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

*IRFP31N50LPBF

典型关闭延迟时间

54 ns

功率-最大值

460W

功率耗散

460 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

180 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

25

汲极/源极击穿电压

500 V

漏极连续电流

31 A

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

31A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 30 V

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