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IRFP31N50LPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP31N50LPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP31N50LPBF价格参考。VishayIRFP31N50LPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 31A(Tc) 460W(Tc) TO-247-3。您可以下载IRFP31N50LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP31N50LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFP31N50LPBF是由Vishay Siliconix生产的N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。该型号具有高电压和大电流处理能力,适用于多种工业和电力电子应用场景。以下是其主要应用场景的简要说明: 1. 开关电源(SMPS) IRFP31N50LPBF的高耐压特性(额定电压500V)使其非常适合用于开关电源中的主开关管或整流管。它能够承受高压瞬态,确保系统在高频开关条件下的稳定运行。 2. 电机驱动 该器件可用于工业电机驱动器中,控制直流电机或步进电机的运行。其低导通电阻(Rds(on) 典型值为0.68Ω)有助于减少功率损耗,提高效率,同时支持高效的PWM调制。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,IRFP31N50LPBF可以用作功率转换的关键元件。它能够在高压环境下高效切换,将直流电转换为交流电。 4. 负载开关 由于其出色的开关性能和耐用性,IRFP31N50LPBF可以用于各种负载开关应用,例如控制大功率LED灯、加热元件或电磁阀等设备的开启和关闭。 5. DC-DC转换器 在高压DC-DC转换器中,该MOSFET可用作同步整流器或开关元件,提供高效的电压转换功能,适用于汽车电子、通信设备等领域。 6. 保护电路 IRFP31N50LPBF还可以用于过流保护、短路保护等电路设计中,利用其快速开关特性和高可靠性来防止电路损坏。 总结 IRFP31N50LPBF凭借其高电压、低导通电阻和优异的热性能,广泛应用于需要高效功率管理的场合,如开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关和保护电路等。其坚固的设计和广泛的温度范围(-55°C至+175°C)使其特别适合严苛的工作环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 31A TO-247ACMOSFET N-Chan 500V 31 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 31 A |
Id-连续漏极电流 | 31 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP31N50LPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFP31N50LPBFIRFP31N50LPBF |
Pd-PowerDissipation | 460 W |
Pd-功率耗散 | 460 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 115 ns |
下降时间 | 53 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 19A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | *IRFP31N50LPBF |
典型关闭延迟时间 | 54 ns |
功率-最大值 | 460W |
功率耗散 | 460 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 180 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 25 |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 31 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 31A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |