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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL3502STRR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL3502STRR价格参考。International RectifierIRL3502STRR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL3502STRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL3502STRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies旗下的IRL3502STRR是一款N沟道功率MOSFET,属于低电压、大电流应用的场效应晶体管(FET)。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和良好的热性能,适用于需要高效能和节能的电源管理场景。 典型应用场景包括: 1. 电源管理系统:广泛用于DC-DC转换器、同步整流电路中,提升转换效率,降低能量损耗。 2. 电池供电设备:如便携式医疗设备、电动工具、笔记本电脑等,因其低导通电阻可减少发热,延长电池续航时间。 3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机控制,常见于家电、办公自动化设备中。 4. 负载开关与电源开关:用于控制电源通断,实现过流保护和软启动功能,提高系统可靠性。 5. 汽车电子辅助系统:尽管非车规级主控器件,但仍可用于部分车载低压辅助电路,如车灯控制、风扇驱动等。 IRL3502STRR采用SOT-223封装,便于散热和紧凑布局,适合对空间和散热有要求的高密度电路设计。其低门槛电压特性也使其兼容3.3V或5V逻辑信号,方便与微控制器直接连接,简化驱动电路设计。总体而言,该MOSFET适用于中低功率、高效率的开关应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRL3502STRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4700pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 毫欧 @ 64A,7V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 110A (Tc) |