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IRFR3410PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3410PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3410PBF价格参考¥3.98-¥4.97。International RectifierIRFR3410PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR3410PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR3410PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR3410PBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) IRFR3410PBF 适合用于开关电源中的功率开关器件,例如降压、升压或反激式转换器。其低 Rds(on) 和快速开关特性能够有效降低导通损耗和开关损耗,提高整体效率。 2. 电机驱动 在小型直流电机驱动中,该 MOSFET 可用作功率开关,控制电机的启停、转速和方向。其低导通电阻有助于减少发热,提高系统的可靠性和效率。 3. 负载切换 该器件可用于负载切换电路,例如在汽车电子或工业控制系统中,实现对大电流负载的安全开关控制。其坚固的设计能够承受瞬态电压和电流冲击。 4. 逆变器与变频器 在逆变器和变频器应用中,IRFR3410PBF 可作为功率级的一部分,用于将直流电转换为交流电或调节输出频率。其良好的热特性和电气性能使其适合此类高频应用。 5. 电池管理 在电池管理系统 (BMS) 中,该 MOSFET 可用于充放电控制、过流保护和短路保护等功能。其低导通电阻有助于减少电池能量损耗。 6. LED 驱动 在高功率 LED 照明应用中,IRFR3410PBF 可用于恒流驱动电路,确保 LED 的亮度稳定并延长使用寿命。 7. 消费电子产品 该器件还广泛应用于消费类电子产品,如笔记本电脑适配器、平板充电器和其他便携式设备的电源管理模块。 总结来说,IRFR3410PBF 凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于各种需要高效功率转换和控制的场景,特别是在中小功率范围内的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 31A DPAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 31 A |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3410PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR3410PBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 37 nC |
| Qg-栅极电荷 | 37 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 39 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 39 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 39 毫欧 @ 18A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR3410PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 39 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 37 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 33 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 31 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 31A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru3410.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru3410.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |