【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRFR3410PBF】封装/厂家_IRFR3410PBF中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFR3410PBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRFR3410PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFR3410PBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3410PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3410PBF价格参考￥3.98-￥4.97。International RectifierIRFR3410PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 100V 31A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR3410PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR3410PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 31A DPAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	31 A
Id-连续漏极电流	31 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3410PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFR3410PBF
Pd-PowerDissipation	110 W
Pd-功率耗散	110 W
Qg-GateCharge	37 nC
Qg-栅极电荷	37 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	39 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	39 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4 V
上升时间	27 ns
下降时间	13 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1690pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	56nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	39 毫欧 @ 18A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	*IRFR3410PBF
典型关闭延迟时间	40 ns
功率-最大值	3W
功率耗散	110 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	39 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	75
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	37 nC
标准包装	75
正向跨导-最小值	33 S
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	31 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	31A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru3410.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru3410.spi
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	20 V