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Datasheet下载- 型号： STB4NK60Z-1
- 制造商： STMicroelectronics
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STB4NK60Z-1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB4NK60Z-1由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB4NK60Z-1价格参考。STMicroelectronicsSTB4NK60Z-1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 600V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK。您可以下载STB4NK60Z-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB4NK60Z-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STB4NK60Z-1是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有600V的漏源击穿电压和4A的连续漏极电流能力，采用TO-220或类似封装，具备良好的热稳定性和高开关效率。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC转换器中，如手机充电器、适配器、PC电源等，作为主开关管工作在高频条件下，实现高效电能转换。 2. 照明驱动电路：适用于电子镇流器、LED驱动电源等，尤其在需要高效率和小体积设计的节能照明系统中表现优异。 3. 电机控制与驱动：可用于小型家电（如风扇、洗衣机）中的电机调速与启停控制，提供可靠的开关性能。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）、太阳能微逆变器等设备中，用于直流到交流的转换环节，支持能量高效传递。 5. 工业控制与电源模块：适用于各类工业电源、继电器驱动、DC-DC变换器等对可靠性要求较高的场合。 该MOSFET集成了快速恢复体二极管，有助于减少外部元件数量，提升系统集成度。同时具备较低的导通电阻（RDS(on)）和优秀的抗雪崩能力，适合在高温、高电压环境下稳定运行。综合来看，STB4NK60Z-1是一款高性能、高可靠性的功率开关器件，广泛应用于消费电子、工业控制及绿色能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STB4NK60Z-1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 497-12536-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF210266?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Tc） |
