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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP5N52K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP5N52K3价格参考。STMicroelectronicsSTP5N52K3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP5N52K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP5N52K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STP5N52K3是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于高效转换和调节电压,适用于笔记本电脑、服务器和工业电源系统。 2. 电机控制:在直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中,作为功率开关使用,常见于工业自动化设备、机器人和电动工具中。 3. 电池管理系统:用于电池充放电控制电路中,适用于电动车辆(如电动自行车、滑板车)、储能系统及便携式设备。 4. 负载开关与电源管理:在需要高效率开关控制的场合,如热插拔电路、电源分配系统中,用于控制电源通断,减少功耗。 5. 照明系统:包括LED照明驱动电路,特别适用于需要调光或高电流驱动的场合。 6. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中作为功率开关元件,实现直流电到交流电的高效转换。 该器件具有低导通电阻、高耐压(520V)和良好的热稳定性,适合高频开关应用,有助于提升系统效率并减小电路体积。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220MOSFET N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.4 A |
Id-连续漏极电流 | 4.4 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP5N52K3SuperMESH3™ |
数据手册 | |
产品型号 | STP5N52K3 |
Pd-PowerDissipation | 70 W |
Pd-功率耗散 | 70 W |
Qg-GateCharge | 14 nC |
Qg-栅极电荷 | 14 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 525 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 525 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 3 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 3 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 2.2A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | 497-10652-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250160?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 70W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 525V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.4A (Tc) |
系列 | STP5N52K3 |
配置 | Single |