Datasheet下载- 型号： FQP16N15
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP16N15由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP16N15价格参考。Fairchild SemiconductorFQP16N15封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP16N15参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP16N15 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP16N15 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该型号属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别，广泛应用于多种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - FQP16N15 的高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以在高频下高效地切换，适用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，FQP16N15 可作为功率开关或 H 桥的一部分，用于控制电机的方向和速度。 3. 电池管理 - 用于电池组的充放电保护电路中，FQP16N15 可以充当负载开关或保护开关，防止过流、短路等异常情况。 4. LED 驱动 - 在大功率 LED 照明应用中，FQP16N15 可用于恒流驱动电路，提供高效的电流调节功能。 5. 逆变器 - 在小型逆变器中，FQP16N15 可用作功率级开关，将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器或其他便携式逆变器。 6. 继电器替代 - 由于其快速开关特性和低功耗，FQP16N15 可以替代传统的机械继电器，用于需要频繁开关的应用场景。 7. 负载开关 - 在消费类电子产品中，FQP16N15 常被用作负载开关，实现对不同电路模块的动态供电管理。 特性支持： - 耐压能力：FQP16N15 的漏源极电压（Vds）为 150V，适合中高压应用。 - 高电流：连续漏极电流（Id）可达 16A，满足大功率需求。 - 低导通电阻：典型 Rds(on) 为 0.18Ω，有助于减少功率损耗。 - 快速开关：具有较低的栅极电荷（Qg），支持高频操作。 综上所述，FQP16N15 凭借其优异的性能参数，适用于多种电力电子设备和工业控制领域，是一款性价比高的功率 MOSFET。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 16.4A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQP16N15 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 910pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 8.2A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 108W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16.4A （Tc） |
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