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FDPF20N50产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF20N50由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF20N50价格参考¥7.50-¥9.37。Fairchild SemiconductorFDPF20N50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220F。您可以下载FDPF20N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPF20N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDPF20N50 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FDPF20N50 的耐压高达 500V,适用于高电压环境下的开关电源设计,例如 AC-DC 转换器、反激式变换器和正激式变换器。 - 其低导通电阻(Rds(on) 最大值为 1.3Ω)和快速开关特性,使其在高频开关应用中表现优异。 2. 电机驱动 - 可用于驱动中小功率电机,例如家用电器中的风扇、水泵或压缩机。 - 高耐压能力确保其在电机启动时能够承受瞬态高压冲击。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,FDPF20N50 可用作功率级开关元件,实现直流到交流的转换。 - 其高耐压和低损耗特性有助于提高逆变器效率。 4. 电磁阀控制 - 适合用于工业自动化设备中的电磁阀驱动电路,能够承受电磁阀开启和关闭时产生的反向电动势。 5. 负载开关 - 在需要高电压负载切换的应用中,如汽车电子、工业控制或照明系统,FDPF20N50 可作为高效的负载开关。 6. PFC(功率因数校正)电路 - 在功率因数校正电路中,该 MOSFET 可用作升压开关,帮助改善系统的功率因数和效率。 7. 保护电路 - 由于其高耐压特性,FDPF20N50 可用于过压保护、过流保护等电路中,防止后端电路受到损坏。 特性总结: - 高耐压:500V,适用于高压环境。 - 低导通电阻:减少功率损耗,提高效率。 - 快速开关速度:适合高频应用。 - 可靠性强:可承受瞬态高压和电流冲击。 综上所述,FDPF20N50 广泛应用于需要高电压、高效率和可靠性的电力电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220FMOSFET 500V N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF20N50UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF20N50 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 38.5 W |
| Pd-功率耗散 | 38.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 230 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 230 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 375 ns |
| 下降时间 | 105 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3120pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 230 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 38.5W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 24.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |
| 系列 | FDPF20N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |