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  • 型号: FDPF20N50
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDPF20N50产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF20N50由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF20N50价格参考¥7.50-¥9.37。Fairchild SemiconductorFDPF20N50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220F。您可以下载FDPF20N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPF20N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDPF20N50 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FDPF20N50 的耐压高达 500V,适用于高电压环境下的开关电源设计,例如 AC-DC 转换器、反激式变换器和正激式变换器。
   - 其低导通电阻(Rds(on) 最大值为 1.3Ω)和快速开关特性,使其在高频开关应用中表现优异。

 2. 电机驱动
   - 可用于驱动中小功率电机,例如家用电器中的风扇、水泵或压缩机。
   - 高耐压能力确保其在电机启动时能够承受瞬态高压冲击。

 3. 逆变器
   - 在光伏逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,FDPF20N50 可用作功率级开关元件,实现直流到交流的转换。
   - 其高耐压和低损耗特性有助于提高逆变器效率。

 4. 电磁阀控制
   - 适合用于工业自动化设备中的电磁阀驱动电路,能够承受电磁阀开启和关闭时产生的反向电动势。

 5. 负载开关
   - 在需要高电压负载切换的应用中,如汽车电子、工业控制或照明系统,FDPF20N50 可作为高效的负载开关。

 6. PFC(功率因数校正)电路
   - 在功率因数校正电路中,该 MOSFET 可用作升压开关,帮助改善系统的功率因数和效率。

 7. 保护电路
   - 由于其高耐压特性,FDPF20N50 可用于过压保护、过流保护等电路中,防止后端电路受到损坏。

 特性总结:
- 高耐压:500V,适用于高压环境。
- 低导通电阻:减少功率损耗,提高效率。
- 快速开关速度:适合高频应用。
- 可靠性强:可承受瞬态高压和电流冲击。

综上所述,FDPF20N50 广泛应用于需要高电压、高效率和可靠性的电力电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 20A TO-220FMOSFET 500V N-CH MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF20N50UniFET™

数据手册

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产品型号

FDPF20N50

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

38.5 W

Pd-功率耗散

38.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

230 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

230 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

375 ns

下降时间

105 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3120pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

59.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

230 毫欧 @ 10A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220F

典型关闭延迟时间

100 ns

功率-最大值

38.5W

包装

管件

单位重量

2.270 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

24.6 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

系列

FDPF20N50

通道模式

Enhancement

配置

Single

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