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  • 型号: SI2302ADS-T1
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI2302ADS-T1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2302ADS-T1价格参考。VishaySI2302ADS-T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI2302ADS-T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2302ADS-T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI2302ADS-T1 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效、低电压控制的电子电路中。该器件具有小封装、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于多种电源管理和开关应用场景。

主要应用场景包括:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制,SI2302ADS-T1可在低电压下实现高效能操作,适合便携式电子产品使用。

2. 电机驱动与继电器替代:作为固态开关,用于小型电机、电磁阀或继电器的控制,提高系统可靠性和寿命。

3. 保护电路:在过流、过压或反向电流保护电路中作为开关元件,快速响应并切断故障电流。

4. 通信设备:应用于网络设备、路由器和交换机中的电源控制系统,满足高密度和高效设计需求。

5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、充电器等,用于电源切换或负载管理。

其SOT-223封装形式,便于散热和空间受限的设计,广泛适用于各类中小功率应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI2302ADS-T1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

300pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 3.6A,4.5V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

功率-最大值

700mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.1A (Ta)

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