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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI2302ADS-T1 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效、低电压控制的电子电路中。该器件具有小封装、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于多种电源管理和开关应用场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制,SI2302ADS-T1可在低电压下实现高效能操作,适合便携式电子产品使用。 2. 电机驱动与继电器替代:作为固态开关,用于小型电机、电磁阀或继电器的控制,提高系统可靠性和寿命。 3. 保护电路:在过流、过压或反向电流保护电路中作为开关元件,快速响应并切断故障电流。 4. 通信设备:应用于网络设备、路由器和交换机中的电源控制系统,满足高密度和高效设计需求。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、充电器等,用于电源切换或负载管理。 其SOT-223封装形式,便于散热和空间受限的设计,广泛适用于各类中小功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI2302ADS-T1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 3.6A,4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.1A (Ta) |