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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH8311TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH8311TRPBF价格参考。International RectifierIRFH8311TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH8311TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH8311TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFH8311TRPBF的MOSFET,属于N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电源管理系统中。 该器件主要应用场景包括: 1. DC-DC转换器:用于服务器、通信设备和工业电源中的升压或降压电路,实现高效的电压调节。 2. 同步整流:在开关电源(SMPS)中替代传统二极管,提高转换效率。 3. 负载开关与电源管理:适用于电池供电设备(如笔记本电脑、平板)中对电源进行精确控制。 4. 电机驱动:用于小型电机或风扇控制电路中,提供快速开关响应。 5. 热插拔电路:在服务器和网络设备中防止插入时电流冲击,保护系统稳定。 6. LED照明驱动:支持恒流控制,提升灯具效率和寿命。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高频率响应和优良的热性能,适合高频开关应用。采用TDFN封装,体积小、散热好,适用于空间受限的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6MOSFET MOSFET, 30V, 50A, 2 33nC Qg, PQFN5x6 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH8311TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH8311TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V to 2.35 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V to 2.35 V |
| 上升时间 | 26 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4960pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.1 毫欧 @ 20A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN(5x6) |
| 其它名称 | IRFH8311TRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TQFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5X6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 83 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Ta), 169A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |