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Datasheet下载- 型号： IRLML2402TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRLML2402TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML2402TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML2402TRPBF价格参考￥0.42-￥0.45。International RectifierIRLML2402TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 20V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23。您可以下载IRLML2402TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLML2402TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IRLML2402TRPBF是一款N沟道MOSFET，属于低电压、低导通电阻的场效应晶体管，广泛应用于需要高效开关和低功耗控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)典型值约45mΩ）和低阈值电压，适合用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等中的电源管理与负载开关，有助于降低功耗、延长电池续航。 2. 电源管理电路：常用于DC-DC转换器、同步整流、电压调节模块（VRM）中，提升电源转换效率，减少发热。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制，常见于微型机器人、电动玩具、家用小电器（如电动牙刷、风扇）中。 4. LED驱动与照明控制：可用于LED灯的开关调光控制，实现高效节能的照明方案。 5. 热插拔与负载开关设计：在主板、扩展卡或USB接口等需要防止浪涌电流的场合，用作受控电源开关，保护后级电路。 6. 工业与消费类电子产品：如传感器模块、继电器替代、电源多路复用等低功率开关应用。 IRLML2402TRPBF采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，且符合RoHS环保标准，是中小功率开关应用中的可靠选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23MOSFET MOSFT 20V 1.2A 250mOhm 2.6nC LogLvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLML2402TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLML2402TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 540 mW |
| Pd-功率耗散 | 540 mW |
| Qg-GateCharge | 2.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 上升时间 | 9.5 ns |
| 下降时间 | 4.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 930mA，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 其它名称 | IRLML2402PBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 9.7 ns |
| 功率-最大值 | 540mW |
| 功率耗散 | 540 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 250 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 2.6 nC |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 1.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 1.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.2A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlml2402.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlml2402.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
