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产品简介:
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NTD78N03T4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中低功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适合用于需要高效能和紧凑设计的电路中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备的电源管理系统。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,用于无人机、电动工具、机器人等设备。 3. 电池供电设备:由于其低导通电阻(Rds(on))和小封装,适合用于电池供电系统中以提高能效并延长续航时间。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动、车载充电器等,符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。 5. 工业控制:如PLC模块、传感器开关、继电器替代等工业自动化应用。 该MOSFET采用TO-252(DPAK)封装,便于散热和焊接,适合表面贴装工艺,广泛应用于中高密度电路设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CHAN 25V 78A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD78N03T4G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2250pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 78A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | NTD78N03T4GOSCT |
功率-最大值 | 1.4W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11.4A (Ta), 78A (Tc) |