| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4922NET1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4922NET1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4922NET1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTMFS4922NET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFS4922NET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4922NET1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于单MOSFET器件。该产品广泛应用于需要高效、低导通电阻和高开关速度的电源管理系统中。 典型应用场景包括: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、同步整流电源模块,适用于服务器、通信设备和工业电源等高效率要求场合。 2. 电机驱动:用于电动工具、家用电器及小型工业电机的驱动电路,其低RDS(on)特性有助于降低功耗和发热。 3. 负载开关与电源管理:在便携式设备(如笔记本电脑、平板)中作为负载开关,实现对不同功能模块的供电控制。 4. 热插拔电路:支持在不断电情况下插入或拔出电路板,保护系统免受浪涌电流冲击。 5. 电池供电设备:因其低导通损耗和高效率,适用于电池管理系统(BMS)和节能型电源设计。 该器件采用先进的沟槽技术,具备优异的热性能和可靠性,封装为SO-8,节省空间且便于自动化生产。其额定电压为30V,适合中低压应用环境。综合来看,NTMFS4922NET1G是一款高性能MOSFET,适用于追求高效率、小型化和可靠性的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 147A SO8-FLMOSFET NFET S08FL 30V 147A 2MOH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 29.1 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4922NET1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMFS4922NET1G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.72 W |
| Pd-功率耗散 | 2.72 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 36.2 ns |
| 下降时间 | 9.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5505pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 76.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 毫欧 @ 30A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
| 功率-最大值 | 930mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.45 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
| 封装/箱体 | SON-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向跨导-最小值 | 80 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 29.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17.1A (Ta), 147A (Tc) |
| 配置 | Single |