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  • 型号: NTMFS4922NET1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4922NET1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4922NET1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4922NET1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTMFS4922NET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFS4922NET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMFS4922NET1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于单MOSFET器件。该产品广泛应用于需要高效、低导通电阻和高开关速度的电源管理系统中。

典型应用场景包括:  
1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、同步整流电源模块,适用于服务器、通信设备和工业电源等高效率要求场合。  
2. 电机驱动:用于电动工具、家用电器及小型工业电机的驱动电路,其低RDS(on)特性有助于降低功耗和发热。  
3. 负载开关与电源管理:在便携式设备(如笔记本电脑、平板)中作为负载开关,实现对不同功能模块的供电控制。  
4. 热插拔电路:支持在不断电情况下插入或拔出电路板,保护系统免受浪涌电流冲击。  
5. 电池供电设备:因其低导通损耗和高效率,适用于电池管理系统(BMS)和节能型电源设计。

该器件采用先进的沟槽技术,具备优异的热性能和可靠性,封装为SO-8,节省空间且便于自动化生产。其额定电压为30V,适合中低压应用环境。综合来看,NTMFS4922NET1G是一款高性能MOSFET,适用于追求高效率、小型化和可靠性的现代电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 147A SO8-FLMOSFET NFET S08FL 30V 147A 2MOH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

29.1 A

Id-连续漏极电流

29.1 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4922NET1G-

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产品型号

NTMFS4922NET1G

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

2.72 W

Pd-功率耗散

2.72 W

Qg-GateCharge

34 nC

Qg-栅极电荷

34 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.45 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.45 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

36.2 ns

下降时间

9.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5505pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

76.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)

功率-最大值

930mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1.45 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸焊盘(5 根引线)

封装/箱体

SON-8

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,500

正向跨导-最小值

80 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

29.1 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17.1A (Ta), 147A (Tc)

配置

Single

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