ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单 > V8P10-M3/86A
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供V8P10-M3/86A由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 V8P10-M3/86A价格参考¥2.10-¥2.68。VishayV8P10-M3/86A封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 表面贴装 二极管 100V 8A TO-277A(SMPC)。您可以下载V8P10-M3/86A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有V8P10-M3/86A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 生产的 V8P10-M3/86A 是一款单整流二极管,具有多种应用场景。这款二极管的主要特点包括高浪涌电流能力、低正向电压降和出色的热性能,适用于需要高效能和可靠性的电路设计。 1. 电源转换 V8P10-M3/86A 广泛应用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中。它能够有效地将交流电转换为直流电,确保输出电压稳定。其低正向电压降有助于减少功率损耗,提高电源效率,特别适合用于大功率电源系统。 2. 电机驱动 在工业自动化和汽车电子领域,该二极管常用于电机驱动电路中。它可以处理电机启动时产生的瞬态电流,并保护电路免受反电动势的影响。其高浪涌电流能力使得它能够在电机频繁启停的情况下保持稳定工作。 3. 太阳能逆变器 太阳能光伏发电系统中的逆变器需要高效的整流元件来确保能量传输效率。V8P10-M3/86A 的低正向压降特性使其成为太阳能逆变器的理想选择,能够最大限度地减少能量损失,提升系统的整体效率。 4. 电池充电电路 在电池充电管理系统中,V8P10-M3/86A 可以用作隔离二极管,防止电池在充电过程中反向放电。此外,它还可以保护充电电路免受电池短路或过流故障的影响,确保充电过程的安全性和可靠性。 5. 电力保护设备 该二极管还广泛应用于各种电力保护设备中,如不间断电源(UPS)和浪涌保护器。它可以快速响应瞬态电压波动,吸收过电压并保护敏感电子设备免受损坏。 总之,V8P10-M3/86A 凭借其优异的电气特性和可靠性,适用于多种电力电子应用,特别是在需要高效整流和高浪涌电流承受能力的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 100 Volt |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors V8P10-M3/86AeSMP™, TMBS® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | V8P10-M3/86AV8P10-M3/86A |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 680mV @ 8A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 70µA @ 100V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=7334 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-277A |
| 其它名称 | V8P10-M3/86AGIDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 商标名 | TMBS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-277,3-PowerDFN |
| 封装/箱体 | SMPC (TO-277A) |
| 峰值反向电压 | 100 V |
| 工作温度-结 | -40°C ~ 150°C |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 70 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 150 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.68 V |
| 正向连续电流 | 8 A |
| 热阻 | 3°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 100V |
| 电流-平均整流(Io) | 8A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single Dual Anode |