【未分类_IPW50R190CEFKSA1】封装/厂家_IPW50R190CEFKSA1中文资料_价格

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型号： IPW50R190CEFKSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPW50R190CEFKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW50R190CEFKSA1价格参考。InfineonIPW50R190CEFKSA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPW50R190CEFKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPW50R190CEFKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IPW50R190CEFKSA1的器件是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具体为CoolMOS™系列的单管功率MOSFET，具有低导通电阻和高效率特性。

该器件主要应用于以下场景：

1. 电源转换系统：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），适用于高效率和高功率密度设计。

2. 工业电源设备：包括工业自动化设备中的电源模块、UPS（不间断电源）系统等。

3. 新能源领域：如光伏逆变器、储能系统中的DC-DC转换器，适合对效率要求较高的绿色能源系统。

4. 电动汽车充电设备：用于车载充电机（OBC）或充电桩电源模块中，提升能量转换效率。

5. 消费类电子产品：如高功率LED照明、高性能电源管理模块等。

该MOSFET具备良好的热稳定性和高频开关性能，适合用于高频开关电路中，有助于减小系统尺寸并提升整体能效。其封装形式（如TO-220或类似）便于散热和安装，广泛适用于中高功率应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	63 A
Id-连续漏极电流	63 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET COOL MOS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW50R190CEFKSA1
产品型号	IPW50R190CEFKSA1
Pd-PowerDissipation	127 W
Pd-功率耗散	127 W
Qg-GateCharge	47.2 nC
Qg-栅极电荷	47.2 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	190 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	190 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	550 V
Vds-漏源极击穿电压	550 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	8.5 ns
下降时间	7.5 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	54 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	CoolMOS
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	240
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
系列	IPW50R190
配置	Single
零件号别名	SP000850798