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  • 型号: SUD17N25-165-E3
  • 制造商: Vishay
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SUD17N25-165-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SUD17N25-165-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD17N25-165-E3价格参考。VishaySUD17N25-165-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 250V 17A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)。您可以下载SUD17N25-165-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUD17N25-165-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SUD17N25-165-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压(250V)及大电流承载能力等特点,适用于多种电力电子应用。

其主要应用场景包括:

1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于提高能源转换效率。
2. 电机控制:在电动工具、家用电器或工业自动化设备中,作为电机驱动电路的开关元件。
3. 负载开关:用于智能电源管理,控制电池供电设备中的负载连接与断开。
4. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,实现直流电到交流电的高效转换。
5. 充电器设计:适用于快速充电设备中的功率开关,提升充电效率和系统稳定性。
6. 工业自动化与控制:用于PLC、继电器替代方案及各种工业控制模块中。

该MOSFET具备良好的热稳定性和封装散热性能,适合在紧凑型高功率密度设计中使用,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 250V 17A TO252MOSFET N-CH 250V 17A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

17 A

Id-连续漏极电流

17 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD17N25-165-E3TrenchFET®

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产品型号

SUD17N25-165-E3SUD17N25-165-E3

Pd-PowerDissipation

3 W

Pd-功率耗散

3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

131 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

131 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

250 V

Vds-漏源极击穿电压

250 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

130 ns

下降时间

100 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1950pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

42nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

165 毫欧 @ 14A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252,(D-Pak)

其它名称

SUD17N25-165-E3-ND
SUD17N25-165-E3TR
SUD17N25165E3

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,000

正向跨导-最小值

36 S

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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