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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTY3N50P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTY3N50P价格参考。IXYSIXTY3N50P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTY3N50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTY3N50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTY3N50P是一款功率MOSFET晶体管,属于FET类别中的单管结构。该器件具备较高的耐压能力和良好的导通特性,适用于多种功率电子设备中。 应用场景主要包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动系统:可用于直流电机或步进电机的控制电路中,提供快速开关响应。 3. 逆变器与变频器:在小型逆变器或变频装置中作为功率开关元件,实现交流输出。 4. 电池管理系统:用于电池充放电控制电路中,具备良好的导通电阻特性,有助于提高能效。 5. 工业自动化设备:在工业控制模块中用于负载开关或功率调节。 6. LED照明驱动:在高功率LED照明系统中作为恒流控制开关。 该器件采用TO-220封装,便于散热和安装,适合中高功率应用场景。使用时需注意其最大工作电压、电流及散热设计,以确保稳定性和可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAKMOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTY3N50PPolarHV™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTY3N50P |
Pd-PowerDissipation | 70 W |
Pd-功率耗散 | 70 W |
Qg-GateCharge | 9.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 9.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5.5 V |
上升时间 | 15 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 409pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 1.8A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252AA |
典型关闭延迟时间 | 38 ns |
功率-最大值 | 70W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 350 mg |
商标 | IXYS |
商标名 | PolarHV |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 2 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 70 |
正向跨导-最小值 | 2.5 S |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 3.6 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.6A (Tc) |
系列 | IXTY3N50 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |