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型号： BSP315PH6327XTSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP315PH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP315PH6327XTSA1价格参考￥1.90-￥1.90。InfineonBSP315PH6327XTSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4。您可以下载BSP315PH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP315PH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌）的BSP315PH6327XTSA1是一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件采用PG-SH8-4封装，具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性，适用于需要高效功率控制的场合。

其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源管理电路，用于电池供电系统的负载开关或反向电流保护；在DC-DC转换器中作为同步整流或高端/低端开关，提升转换效率；工业控制模块和消费类电子产品中的信号切换与电源开关应用；还可用于LED驱动电路和小型电机控制等低压低功耗系统。

由于其符合RoHS标准且可靠性高，BSP315PH6327XTSA1广泛应用于对空间紧凑性和能效要求较高的现代电子设备中，特别适合在电池供电和节能设计中发挥优势。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
ChannelMode	Enhancement
Id-ContinuousDrainCurrent	- 1.17 A
Id-连续漏极电流	- 1.17 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET SIPMOS Sm-Signal 800mOhm -60V -1.17A
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP315PH6327XTSA1
产品型号	BSP315PH6327XTSA1
Pd-PowerDissipation	1.8 W
Pd-功率耗散	1.8 W
Qg-GateCharge	5.2 nC
Qg-栅极电荷	5.2 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	500 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	500 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 60 V
Vds-漏源极击穿电压	- 60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	- 1.5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	- 1.5 V
上升时间	9 ns
下降时间	19 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	32 ns
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	SOT-223-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	0.7 S
系列	BSP315
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	SP001058830