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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RZF020P01TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RZF020P01TL价格参考¥1.16-¥1.74。ROHM SemiconductorRZF020P01TL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RZF020P01TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RZF020P01TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RZF020P01TL 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,适用于多种功率转换和控制场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:作为开关元件用于降压或升压电路中,实现高效的电压转换。 - 负载开关:用于动态控制电路中的电流流动,保护下游电路免受过流或短路的影响。 - 线性稳压器:通过调节输出电流实现稳定的电压输出。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:用于启动、停止、调速和方向控制。 - H 桥电路:在双向电机驱动应用中,充当关键的开关元件。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池充放电保护:用于防止过充、过放、过流和短路等异常情况。 - 电池均衡电路:实现多节电池之间的电压平衡。 4. 消费电子设备 - 智能手机和平板电脑:用于充电管理、音频放大器驱动和其他内部电源分配任务。 - 笔记本电脑适配器:在功率转换模块中作为高效开关元件。 - LED 驱动:用于调节 LED 的亮度和颜色,确保稳定的工作状态。 5. 工业自动化 - 传感器接口:为传感器供电并控制信号传输。 - 继电器替代:利用其快速开关特性和长寿命特点,取代传统机械继电器。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频功放和其他外围设备的电源管理。 - 车身控制系统:如车窗升降、座椅调节等需要精确电流控制的应用。 RZF020P01TL 凭借其高性能参数和可靠性,适合需要高效功率转换和低损耗的各类应用场景。具体使用时需根据实际需求选择合适的驱动电路和散热方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3MOSFET 1.5V DRVE PCH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
Id-连续漏极电流 | 2 A |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RZF020P01TL- |
数据手册 | |
产品型号 | RZF020P01TL |
Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
Pd-功率耗散 | 800 mW |
Qg-GateCharge | 6.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 6.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 17 ns |
下降时间 | 35 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 6V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 105 毫欧 @ 2A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TUMT3 |
其它名称 | RZF020P01TLCT |
典型关闭延迟时间 | 65 ns |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 3-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | TUMT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 2 S |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |