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  • 型号: NP36P04SDG-E1-AY
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
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NP36P04SDG-E1-AY产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NP36P04SDG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP36P04SDG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP36P04SDG-E1-AY封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 40V 36A(Tc) 1.2W(Ta),56W(Tc) TO-252(MP-3ZK)。您可以下载NP36P04SDG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NP36P04SDG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Renesas Electronics America 的 NP36P04SDG-E1-AY 是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单类型的产品。以下是该型号的主要应用场景及特点:

 应用场景
1. 电源管理  
   该 MOSFET 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块中,提供高效的功率转换和控制功能。其低导通电阻特性能够减少能量损耗,提高系统的整体效率。

2. 电机驱动  
   在小型电机控制应用中,如风扇、泵或家用电器中的电机驱动,NP36P04SDG-E1-AY 可作为开关元件使用,实现精确的速度和方向控制。

3. 负载切换  
   适用于需要频繁开启/关闭负载的场景,例如汽车电子系统中的负载切换、LED 照明控制等。其快速开关能力和高可靠性确保了稳定运行。

4. 保护电路  
   在过流保护、短路保护和逆向电池保护等设计中,该 MOSFET 能够通过快速响应和低功耗特性,有效保护后端电路免受损坏。

5. 通信设备  
   在通信基础设施中,如基站、路由器或交换机,这款 MOSFET 可用于信号处理和功率分配,支持高效的数据传输和能量管理。

 特点与优势
- 低导通电阻 (Rds(on)):降低功耗,提升效率。
- 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。
- 优异的热性能:增强散热能力,延长使用寿命。
- 高耐压能力:确保在高压环境下稳定工作。
- 紧凑封装:节省 PCB 空间,便于小型化设计。

总之,NP36P04SDG-E1-AY 凭借其卓越的性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子以及通信设备等领域,满足多种复杂场景下的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH -40V -36A TO-252

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Renesas Electronics America

数据手册

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产品图片

产品型号

NP36P04SDG-E1-AY

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2800pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

55nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

17 毫欧 @ 18A,10V

供应商器件封装

TO-252(MP-3ZK)

其它名称

NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDGE1AY

功率-最大值

1.2W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

36A (Tc)

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