Datasheet下载- 型号： IRFI644GPBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI644GPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI644GPBF价格参考。VishayIRFI644GPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFI644GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFI644GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFI644GPBF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电源适配器中，实现高效的能量转换和电压调节。 2. 电机控制：在直流电机驱动器和无刷电机控制系统中作为功率开关，控制电机的启停与转速。 3. 照明系统：应用于 LED 驱动电路和高强度放电灯（HID）镇流器中，提供快速开关和稳定电流控制。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、电动门窗控制、LED 车灯驱动等，满足汽车环境对可靠性和耐温性的要求。 5. 工业自动化：在工业控制设备如PLC、继电器驱动电路和自动化执行机构中，实现高频率开关操作。 6. 消费电子：应用于充电器、电池管理系统（BMS）和高效率电源模块中，提升能效和减小体积。 IRFI644GPBF 具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，适合中高功率应用，是实现高效能、小型化设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FPMOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 7.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI644GPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFI644GPBFIRFI644GPBF |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 4.7A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFI644GPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 53 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 280 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 250 V |
| 漏极连续电流 | 7.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.9A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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