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  • 型号: IRFZ44ZSTRRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFZ44ZSTRRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ44ZSTRRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ44ZSTRRPBF价格参考¥5.99-¥11.24。International RectifierIRFZ44ZSTRRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFZ44ZSTRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFZ44ZSTRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFZ44ZSTRRPBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器、反激式电源和正激式电源等设计中,作为高效的开关元件。
   - 降压/升压转换器:在电压调节模块中,实现高效的电压转换。
   - 电池充电器:用于控制充电电流和电压,确保充电过程的安全性和效率。

 2. 电机驱动
   - 直流电机控制:用于PWM调速或方向控制,适用于小型风扇、泵或其他直流电机应用。
   - H桥电路:在双极性电机控制中,作为H桥的一部分,实现电机的正转和反转。
   - 步进电机驱动:为步进电机提供精确的电流控制,支持多相电机驱动。

 3. 负载切换
   - 负载开关:用于控制高电流负载的通断,例如LED照明、加热元件或电动工具。
   - 继电器替代:由于其快速开关特性和长寿命,可以替代传统的机械继电器。

 4. 逆变器和太阳能系统
   - 微型逆变器:用于将直流电转换为交流电的小型逆变器中。
   - 太阳能MPPT控制器:在最大功率点跟踪(MPPT)电路中,实现对光伏板输出的优化管理。

 5. 汽车电子
   - 电动车窗和座椅调节:用于驱动车内各种电机和执行器。
   - LED车灯控制:实现高效且稳定的车灯亮度调节。
   - 车载充电系统:在OBC(车载充电器)中作为关键开关元件。

 6. 工业自动化
   - 固态继电器(SSR):用作无触点开关,适用于高频切换场合。
   - 传感器接口:为工业传感器提供稳定的电源和信号控制。

 7. 消费电子产品
   - 家电控制:如空调、冰箱中的压缩机控制或风扇调速。
   - 音频设备:在功放电路中,用于驱动扬声器或控制音频信号。

 技术优势
IRFZ44ZSTRRPBF具有低导通电阻(典型值为0.058Ω)、高耐压(55V)和大电流能力(49A),适合高功率和高效率的应用需求。同时,其快速开关特性和低损耗特性使其成为许多现代电子设备的理想选择。

总结来说,IRFZ44ZSTRRPBF广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换、逆变器、汽车电子、工业自动化以及消费电子产品等领域,是一款性能优异的N沟道MOSFET。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

Ciss-输入电容

1.42 nF

描述

MOSFET N-CH 55V 51A D2PAKMOSFET MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

51 A

Id-连续漏极电流

51 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ44ZSTRRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFZ44ZSTRRPBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

80 W

Pd-功率耗散

80 W

Qg-GateCharge

43 nC

Qg-栅极电荷

29 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

13.9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

11.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

68 ns

下降时间

41 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1420pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

43nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13.9 毫欧 @ 31A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

IRFZ44ZSTRRPBFCT

典型关闭延迟时间

33 ns

功率-最大值

80W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

13.9 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

22 S

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

51 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

51A (Tc)

配置

Single

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