Datasheet下载- 型号： NTMS4101PR2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4101PR2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4101PR2价格参考。ON SemiconductorNTMS4101PR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMS4101PR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS4101PR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTMS4101PR2是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件采用1.2W的小型SOT-23封装，具有低阈值电压和低导通电阻（RDS(on)），适合在低电压、低功耗的应用中使用。 NTMS4101PR2主要应用于便携式电子设备和电池供电系统，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等。其P沟道特性使其常用于电源开关、负载开关或电平转换电路中，实现对电源路径的高效控制。例如，在电池管理系统中，可用于防止反向电流或实现待机模式下的电源切断，以降低功耗。 此外，该MOSFET也适用于驱动小型LED、传感器模块或作为逻辑控制开关，广泛用于消费类电子产品中的信号切换与电源管理。由于其封装小巧、响应速度快且驱动简单，特别适合高密度PCB布局和空间受限的设计。 总体而言，NTMS4101PR2凭借其高可靠性、低功耗特性和小尺寸封装，是现代低功耗电子系统中理想的开关元件选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMS4101PR2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 6.9A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMS4101PR2OS |
| 功率-最大值 | 1.38W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.9A （Ta） |
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