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  • 型号: FDP8N50NZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDP8N50NZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP8N50NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP8N50NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDP8N50NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 130W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP8N50NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP8N50NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDP8N50NZ 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号的主要应用场景包括但不限于以下领域:

1. 开关电源(SMPS):  
   FDP8N50NZ 的高电压耐受能力(额定 VDS 为 500V)和低导通电阻使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电流的开断,适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。

2. 电机驱动:  
   在工业自动化和消费电子中,该器件可用于驱动中小型电机。其快速开关特性和较低的功耗有助于提高电机控制系统的效率。

3. 逆变器:  
   该 MOSFET 可广泛应用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变设备中,用于将直流电转换为交流电,支持可再生能源系统的高效能量转换。

4. 电磁阀和继电器驱动:  
   在需要高电压驱动的电磁阀或继电器电路中,FDP8N50NZ 可以作为开关元件,确保可靠且高效的负载控制。

5. 家电和消费电子产品:  
   如空调、冰箱、洗衣机等家用电器中,这款 MOSFET 可用于功率控制模块,提供稳定的性能和较长的使用寿命。

6. 汽车电子:  
   在汽车电子系统中,例如电动窗、座椅调节器或灯光控制系统,FDP8N50NZ 可以承受较高的工作电压并实现精确的功率管理。

7. 电池管理系统(BMS):  
   用于保护电池组免受过充、过放或短路的影响,该器件可以充当高效的开关元件,确保电池的安全运行。

总结来说,FDP8N50NZ 凭借其出色的电气特性(如高击穿电压、低 RDS(on) 和快速开关速度),在需要高压、高效功率控制的应用场景中表现出色,是许多工业、消费及汽车电子产品的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3MOSFET UNIFET2 500V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP8N50NZUniFET™

数据手册

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产品型号

FDP8N50NZ

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

139 W

Pd-功率耗散

139 W

Qg-GateCharge

18 nC

Qg-栅极电荷

18 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

770 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

770 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

80 ns

下降时间

60 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

735pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

850 毫欧 @ 4A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

典型关闭延迟时间

95 ns

功率-最大值

139W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 成形引线

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

6.3 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Tc)

系列

FDP8N50NZ

通道模式

Enhancement

配置

Single

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