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FDP8N50NZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP8N50NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP8N50NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDP8N50NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 130W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP8N50NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP8N50NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP8N50NZ 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号的主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS): FDP8N50NZ 的高电压耐受能力(额定 VDS 为 500V)和低导通电阻使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电流的开断,适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动: 在工业自动化和消费电子中,该器件可用于驱动中小型电机。其快速开关特性和较低的功耗有助于提高电机控制系统的效率。 3. 逆变器: 该 MOSFET 可广泛应用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变设备中,用于将直流电转换为交流电,支持可再生能源系统的高效能量转换。 4. 电磁阀和继电器驱动: 在需要高电压驱动的电磁阀或继电器电路中,FDP8N50NZ 可以作为开关元件,确保可靠且高效的负载控制。 5. 家电和消费电子产品: 如空调、冰箱、洗衣机等家用电器中,这款 MOSFET 可用于功率控制模块,提供稳定的性能和较长的使用寿命。 6. 汽车电子: 在汽车电子系统中,例如电动窗、座椅调节器或灯光控制系统,FDP8N50NZ 可以承受较高的工作电压并实现精确的功率管理。 7. 电池管理系统(BMS): 用于保护电池组免受过充、过放或短路的影响,该器件可以充当高效的开关元件,确保电池的安全运行。 总结来说,FDP8N50NZ 凭借其出色的电气特性(如高击穿电压、低 RDS(on) 和快速开关速度),在需要高压、高效功率控制的应用场景中表现出色,是许多工业、消费及汽车电子产品的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3MOSFET UNIFET2 500V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP8N50NZUniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDP8N50NZ |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 139 W |
Pd-功率耗散 | 139 W |
Qg-GateCharge | 18 nC |
Qg-栅极电荷 | 18 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 770 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 770 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 80 ns |
下降时间 | 60 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 735pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 4A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
典型关闭延迟时间 | 95 ns |
功率-最大值 | 139W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 成形引线 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 6.3 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |
系列 | FDP8N50NZ |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |