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STD7NM80-1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD7NM80-1由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD7NM80-1价格参考。STMicroelectronicsSTD7NM80-1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 6.5A(Tc) 90W(Tc) I-PAK。您可以下载STD7NM80-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD7NM80-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STD7NM80-1 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于功率 MOSFET 类别,适用于多种电力电子应用。以下是其典型应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - STD7NM80-1 的低导通电阻 (Rds(on)) 和高击穿电压 (80V) 使其非常适合用作开关电源中的主开关或同步整流器。 - 常见于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器和充电器中。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机的驱动电路,例如风扇、泵、电动工具等。 - 可作为 H 桥电路的一部分,实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 负载切换 - 在需要高效负载切换的应用中,例如汽车电子、工业自动化设备或消费电子产品中,该 MOSFET 可以快速开启或关闭负载电流。 - 其低 Rds(on) 减少了功率损耗,提高了系统效率。 4. 电池管理 - 用于电池保护电路中,控制电池充放电路径。 - 可以防止过流、短路或反向电流等问题。 5. LED 驱动 - 在 LED 照明应用中,STD7NM80-1 可用于恒流源设计或调光电路,提供高效的电流控制。 6. 逆变器 - 在小型逆变器中,作为功率级开关元件,将直流电转换为交流电。 7. 通信设备 - 在通信基站或网络设备的电源管理模块中,用作功率开关或保护元件。 特性总结: - 额定电压:80V,适合中低压应用。 - 额定电流:7A(连续漏极电流),满足大多数中小功率需求。 - 低 Rds(on):典型值为 0.12Ω,减少导通损耗。 - 快速开关能力:适合高频开关应用。 总之,STD7NM80-1 是一款性能优良的功率 MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STD7NM80-1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.05 欧姆 @ 3.25A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | 497-12787-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF192034?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 90W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.5A (Tc) |