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  • 型号: STD7NM80-1
  • 制造商: STMicroelectronics
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STD7NM80-1产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD7NM80-1由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD7NM80-1价格参考。STMicroelectronicsSTD7NM80-1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 6.5A(Tc) 90W(Tc) I-PAK。您可以下载STD7NM80-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD7NM80-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STD7NM80-1 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于功率 MOSFET 类别,适用于多种电力电子应用。以下是其典型应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - STD7NM80-1 的低导通电阻 (Rds(on)) 和高击穿电压 (80V) 使其非常适合用作开关电源中的主开关或同步整流器。
   - 常见于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器和充电器中。

 2. 电机驱动
   - 用于小型直流电机的驱动电路,例如风扇、泵、电动工具等。
   - 可作为 H 桥电路的一部分,实现电机的正转、反转和制动功能。

 3. 负载切换
   - 在需要高效负载切换的应用中,例如汽车电子、工业自动化设备或消费电子产品中,该 MOSFET 可以快速开启或关闭负载电流。
   - 其低 Rds(on) 减少了功率损耗,提高了系统效率。

 4. 电池管理
   - 用于电池保护电路中,控制电池充放电路径。
   - 可以防止过流、短路或反向电流等问题。

 5. LED 驱动
   - 在 LED 照明应用中,STD7NM80-1 可用于恒流源设计或调光电路,提供高效的电流控制。

 6. 逆变器
   - 在小型逆变器中,作为功率级开关元件,将直流电转换为交流电。

 7. 通信设备
   - 在通信基站或网络设备的电源管理模块中,用作功率开关或保护元件。

 特性总结:
- 额定电压:80V,适合中低压应用。
- 额定电流:7A(连续漏极电流),满足大多数中小功率需求。
- 低 Rds(on):典型值为 0.12Ω,减少导通损耗。
- 快速开关能力:适合高频开关应用。

总之,STD7NM80-1 是一款性能优良的功率 MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

STD7NM80-1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

620pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.05 欧姆 @ 3.25A,10V

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

497-12787-5
STD7NM80-1-ND
STD7NM801

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF192034?referrer=70071840

功率-最大值

90W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.5A (Tc)

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