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Datasheet下载- 型号： IRF6641TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6641TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6641TRPBF价格参考。International RectifierIRF6641TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6641TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6641TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRF6641TRPBF是一款单N沟道增强型MOSFET，适用于多种高效率、高频率的功率转换场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，以提高能效并减小电源模块体积，适用于服务器、通信设备和工业电源。 2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动中，作为功率开关使用，支持快速开关和高耐压特性，提升控制精度和系统稳定性。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动工具、电动车及储能系统的充放电控制电路中，实现高效能与过流保护功能。 4. 照明系统：如LED驱动电源，支持高频率开关以减小电感元件尺寸，同时降低导通损耗。 5. 消费电子产品：例如笔记本电脑适配器、充电器和高能效家电中，用于提升转换效率并满足节能标准。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高工作电压（最高30V）和优良的热性能，适合高频开关应用，有助于提升整体系统效率和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6641TRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2290pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 59.9 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MZ |
| 其它名称 | IRF6641TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MZ |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.6A （Ta）， 26A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6641pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6641pbf.spi |
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