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SSM3J14TTE85LF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3J14TTE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3J14TTE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3J14TTE85LF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 30V 2.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM。您可以下载SSM3J14TTE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM3J14TTE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM3J14TTE85LF是由东芝半导体与存储(Toshiba Semiconductor and Storage)生产的一款P沟道MOSFET,属于晶体管-FET类别。该器件采用先进的封装技术(如SOP或类似小型化封装),具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性,适用于对空间和能效要求较高的电子设备。 其主要应用场景包括:便携式电子产品(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)中的电源管理与负载开关,用于控制电池供电路径或模块的开启与关闭;在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端开关,提升电源转换效率;还可用于电机驱动、LED驱动及各类小型电子设备中的信号切换与功率控制。 由于其具备优良的静电放电(ESD)保护能力和可靠性,SSM3J14TTE85LF也广泛应用于消费类电子、工业控制模块和通信设备中,尤其适合需要低电压驱动、低功耗运行的场合。此外,该型号符合环保标准(如无铅、符合RoHS指令),适用于注重绿色环保设计的产品。 综上,SSM3J14TTE85LF是一款高性能P沟道MOSFET,广泛用于电源管理、开关控制和节能型电子系统中,特别适合小型化、高效率的现代电子设备需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J14T |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSM3J14TTE85LF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 413pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 85毫欧 @ 1.35A, 10V |
| 供应商器件封装 | TSM |
| 其它名称 | SSM3J14TTE85LFDKR |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Ta) |