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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS037N08B由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS037N08B价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS037N08B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMS037N08B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS037N08B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS037N08B 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. DC-DC转换器:适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效能电源模块,支持高频率开关操作。 2. 同步整流器:在开关电源(SMPS)中作为同步整流元件使用,提高系统效率并减少发热。 3. 负载开关与电源管理:用于电池供电设备(如移动设备、便携式电子产品)中的负载开关控制,实现低导通电阻和快速响应。 4. 电机驱动电路:适用于小型电机或风扇的驱动控制,具备良好的热稳定性和过载能力。 5. 逆变器与电源适配器:广泛应用于AC-DC电源适配器、UPS不间断电源等设备中,支持高效率和小尺寸设计。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(80V)和大电流承载能力,适合高频、高效率的功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 100A 8QFNMOSFET PT7 75V 3.7mohm PQFN56 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS037N08BPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS037N08B |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5915pF @ 37.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.7 毫欧 @ 50A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 其它名称 | FDMS037N08BDKR |
| 功率-最大值 | 104.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 90 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | Power 56-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
| 系列 | FDMS037N08B |