Datasheet下载- 型号： FQU2N80TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU2N80TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU2N80TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU2N80TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQU2N80TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU2N80TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的FQU2N80TU是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - FQU2N80TU适用于开关电源中的功率转换电路，例如降压、升压或反激式转换器。 - 其高耐压能力（800V）使其适合高压输入环境，如工业电源、适配器和充电器。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 在需要高电压驱动的应用中表现良好，例如家用电器中的风扇或泵。 3. 电磁阀控制 - 适用于工业自动化设备中的电磁阀驱动电路，通过快速开关实现对流体或气体的精确控制。 4. 逆变器 - 在光伏逆变器或UPS（不间断电源）中作为功率开关使用，实现直流到交流的转换。 - 高耐压特性和低导通电阻（Rds(on) = 5.9Ω @ Vgs=10V）有助于提高效率并减少损耗。 5. 固态继电器（SSR） - 替代传统机械继电器，用于高压负载的开关控制，具有更长寿命和更高可靠性。 - 常见于照明系统、家电和工业设备中。 6. 负载切换 - 用于汽车电子或工业控制系统中的负载切换，例如车灯、雨刷器或其他高压负载的控制。 7. 保护电路 - 在过流保护、短路保护或过压保护电路中用作开关元件，确保系统的安全运行。 特性总结： - 高耐压（800V）：适合高压应用环境。 - 低导通电阻（Rds(on) = 5.9Ω）：降低功耗，提高效率。 - 小封装（TO-272-3, DPak）：节省空间，便于设计紧凑型产品。 这款MOSFET广泛应用于需要高压、高效能和可靠性的场景，是许多电力电子设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQU2N80TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.3 欧姆 @ 900mA，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 5,040 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Tc） |
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