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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB215ENEAX由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB215ENEAX价格参考。NXP SemiconductorsPMPB215ENEAX封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMPB215ENEAX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMPB215ENEAX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PMPB215ENEAX 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于中低功率应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池管理系统,因其具有低导通电阻和高效率特性。 2. 负载开关:用于控制电源路径,如在便携式设备中实现对不同模块的供电管理。 3. 电机驱动:适用于小型电机控制电路,如风扇、泵或机器人系统中的电机驱动。 4. 照明控制:可用于 LED 照明系统的开关与调光控制,支持高效能照明设计。 5. 工业自动化:作为开关元件用于 PLC、传感器模块及工业控制设备中。 6. 汽车电子:适用于车载电源系统、车灯控制及辅助电机控制等场景,具备良好的稳定性和耐温性。 该器件采用小型封装,适合空间受限的设计,同时具备良好的热性能和可靠性,适合多种中低功率开关应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 80V SOT1220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PMPB215ENEAX |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.7V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 215pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.2nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 230 毫欧 @ 1.9A, 10V |
供应商器件封装 | 6-DFN2020MD (2x2) |
其它名称 | 934067477115 |
功率-最大值 | 1.6W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.9A (Ta) |