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Datasheet下载- 型号： SI7108DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI7108DN-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7108DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7108DN-T1-E3价格参考。VishaySI7108DN-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 20V 14A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7108DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7108DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7108DN-T1-E3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于高性能、低电压驱动的功率MOSFET器件，广泛应用于便携式电子设备和电源管理领域。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子产品：由于该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和小封装（如SO-8），非常适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的电源开关和负载管理，有助于降低功耗，提高能效。 2. 电源管理电路：常用于DC-DC转换器、同步整流、电压调节模块（VRM）中，作为高效开关元件，提升电源转换效率，减少发热。 3. 电池供电系统：在电池保护电路（如过流、短路保护）中用作开关控制，确保系统安全运行，延长电池寿命。 4. 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流电机控制和高亮度LED调光电路，提供快速开关响应和稳定电流控制。 5. 热插拔与负载开关应用：因其具备良好的电流处理能力和快速响应特性，适合用于热插拔控制器或电源路径管理中，防止浪涌电流损坏系统。 SI7108DN-T1-E3 具有低栅极电荷和优异的开关性能，可在低至2.5V的栅极驱动电压下工作，兼容逻辑电平信号，便于与微控制器直接接口。综合来看，该器件适用于对空间、功耗和效率要求较高的现代电子系统，是工业控制、消费电子和通信设备中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8MOSFET 20V 22A 0.0049Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73216 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7108DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7108DN-T1-E3SI7108DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.9 毫欧 @ 22A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7108DN-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 88 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7108DN-E3 |
