Datasheet下载- 型号： BUK966R5-60E,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK966R5-60E,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK966R5-60E,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK966R5-60E,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK966R5-60E,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK966R5-60E,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK966R5-60E,118 是一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛用于需要高效功率控制的场景。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器等，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高能效。 2. 电机控制：在直流电机驱动器和无刷电机控制系统中作为开关元件，提供快速开关响应和高可靠性。 3. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如照明系统、加热元件和工业设备中的电源开关。 4. 汽车电子：适用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）等汽车应用，具备高可靠性和稳定性。 5. 工业自动化：用于工业控制设备中的功率开关，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和变频器。 6. 消费电子：如高功率电源适配器、智能家电中的功率控制模块。 该MOSFET具有高耐压（60V）、大电流能力及优异的热稳定性，适合在高频率和高功率密度环境下工作，是多种功率电子系统中的关键元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK966R5-60E,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9892-6 |
| 功率-最大值 | 182W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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