ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > SBC846BDW1T1G
Datasheet下载- 型号： SBC846BDW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SBC846BDW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBC846BDW1T1G价格参考。ON SemiconductorSBC846BDW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载SBC846BDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SBC846BDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的SBC846BDW1T1G是一款双极性晶体管阵列，属于NPN型BJT器件，采用双晶体管封装（通常为共集电极配置），适用于多种中低功率开关与放大应用。该器件广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。 典型应用场景包括：逻辑电路中的电平转换与信号缓冲、LED驱动电路中的开关控制、继电器或小型负载的驱动、电源管理模块中的通断控制等。由于其高增益和快速开关特性，适合用于数字信号处理系统中的接口电路，实现微控制器与外围设备之间的信号隔离与增强。 此外，SBC846BDW1T1G具备良好的热稳定性和可靠性，符合AEC-Q101车规标准，因此也常用于汽车电子系统，如车身控制模块（BCM）、车灯控制、电机驱动辅助电路等。其SOT-23或类似小型化封装形式节省PCB空间，适合高密度布局设计。 总体而言，SBC846BDW1T1G凭借其稳定性、集成度和性价比，是现代电子设备中常用的通用型双极晶体管阵列解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN DUAL 65V 100MA SOT-363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SBC846BDW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-88 |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 65V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA （ICBO） |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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