Datasheet下载- 型号： SIHB33N60E-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHB33N60E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHB33N60E-GE3价格参考。VishaySIHB33N60E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHB33N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHB33N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIHB33N60E-GE3是一款N通道功率MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其600V的击穿电压和低导通电阻使其能够高效地处理高压和高电流条件下的开关操作。 2. 电机控制：在工业自动化和家用电器中，SIHB33N60E-GE3可用于驱动小型到中型电机。它能够提供高效的开关性能，适合于PWM调速和电机启动/停止控制。 3. 逆变器：这款MOSFET常用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，以实现直流到交流的转换。其高耐压特性和良好的热性能有助于提高系统的可靠性和效率。 4. PFC电路（功率因数校正）：在需要功率因数校正的应用中，如UPS系统或大型家电，该器件可以用来提升输入功率因数，减少谐波失真。 5. 负载开关和保护电路：由于其快速开关速度和较低的导通电阻，SIHB33N60E-GE3非常适合用作负载开关或过流保护元件，在确保系统稳定运行的同时降低功耗。 6. 电动工具：对于需要高功率输出的电动工具来说，这款MOSFET提供了足够的耐用性和效率来满足需求，同时保持较小的体积和重量。 总之，SIHB33N60E-GE3凭借其出色的电气特性及可靠性，广泛应用于各种需要高效能量转换与控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 33A TO-263MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHB33N60E-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHB33N60E-GE3SIHB33N60E-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 278 W |
| Pd-功率耗散 | 278 W |
| Qg-GateCharge | 150 nC |
| Qg-栅极电荷 | 150 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 99 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 99 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 4 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 4 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 90 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3508pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 99 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | SIHB33N60EGE3 |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 功率-最大值 | 278W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | E-Series |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 99 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 33 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 系列 | SIHxxxN60x |
| 配置 | Single |
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