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  • 型号: 2N7000RLRPG
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N7000RLRPG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7000RLRPG价格参考。ON Semiconductor2N7000RLRPG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N7000RLRPG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N7000RLRPG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N7000RLRPG是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该型号属于“晶体管 - FET,MOSFET - 单”类别,广泛应用于各种电子电路中,其主要应用场景包括但不限于以下方面:

 1. 开关应用
   - 数字逻辑电路:作为电子开关,用于控制信号的通断。2N7000RLRPG具有低开启电压(Vgs(th) ≈ 2V),适合在低电压环境下工作。
   - 负载开关:用于电池供电设备中,控制电源的通断,降低功耗。
   - 继电器驱动:通过MOSFET控制继电器线圈的电流,实现机械触点的开闭。

 2. 功率管理
   - 直流-直流转换器:在小型降压或升压转换器中作为主开关元件,调节输出电压。
   - 电池保护电路:用于防止过充、过放或短路,确保电池安全。
   - LED驱动:控制LED灯的亮度或开关状态,适用于小功率LED照明系统。

 3. 信号处理
   - 音频电路:用于低频信号放大或切换,例如耳机放大器中的开关控制。
   - 传感器接口:驱动传感器或作为信号隔离元件,确保信号传输的稳定性。

 4. 电机控制
   - 小功率电机驱动:控制小型直流电机的启动、停止和方向切换。
   - H桥电路:与其他MOSFET配合使用,实现电机的双向控制。

 5. 保护电路
   - 过流保护:利用MOSFET的导通电阻特性检测电流异常,及时切断电路。
   - 静电放电(ESD)保护:在某些设计中用作保护元件,防止高电压损坏敏感器件。

 6. 其他应用
   - 脉宽调制(PWM)电路:用于控制输出占空比,调节功率或信号强度。
   - 无线通信设备:在低功率射频电路中作为开关或缓冲器。

2N7000RLRPG因其低成本、可靠性高、易于驱动等特点,特别适合低功率、低电压的应用场景。然而,由于其最大漏极电流(Id)仅为200mA(典型值),并不适合大功率或高电流场合。在实际应用中,需根据具体需求选择合适的驱动电压和散热方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

2N7000RLRPG

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

60pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 欧姆 @ 500mA,10V

供应商器件封装

TO-92-3

功率-最大值

350mW

包装

带盒(TB)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

标准包装

2,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

200mA (Ta)

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