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产品简介:
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2N7000RLRPG是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该型号属于“晶体管 - FET,MOSFET - 单”类别,广泛应用于各种电子电路中,其主要应用场景包括但不限于以下方面: 1. 开关应用 - 数字逻辑电路:作为电子开关,用于控制信号的通断。2N7000RLRPG具有低开启电压(Vgs(th) ≈ 2V),适合在低电压环境下工作。 - 负载开关:用于电池供电设备中,控制电源的通断,降低功耗。 - 继电器驱动:通过MOSFET控制继电器线圈的电流,实现机械触点的开闭。 2. 功率管理 - 直流-直流转换器:在小型降压或升压转换器中作为主开关元件,调节输出电压。 - 电池保护电路:用于防止过充、过放或短路,确保电池安全。 - LED驱动:控制LED灯的亮度或开关状态,适用于小功率LED照明系统。 3. 信号处理 - 音频电路:用于低频信号放大或切换,例如耳机放大器中的开关控制。 - 传感器接口:驱动传感器或作为信号隔离元件,确保信号传输的稳定性。 4. 电机控制 - 小功率电机驱动:控制小型直流电机的启动、停止和方向切换。 - H桥电路:与其他MOSFET配合使用,实现电机的双向控制。 5. 保护电路 - 过流保护:利用MOSFET的导通电阻特性检测电流异常,及时切断电路。 - 静电放电(ESD)保护:在某些设计中用作保护元件,防止高电压损坏敏感器件。 6. 其他应用 - 脉宽调制(PWM)电路:用于控制输出占空比,调节功率或信号强度。 - 无线通信设备:在低功率射频电路中作为开关或缓冲器。 2N7000RLRPG因其低成本、可靠性高、易于驱动等特点,特别适合低功率、低电压的应用场景。然而,由于其最大漏极电流(Id)仅为200mA(典型值),并不适合大功率或高电流场合。在实际应用中,需根据具体需求选择合适的驱动电压和散热方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2N7000RLRPG |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 欧姆 @ 500mA,10V |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | 带盒(TB) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA (Ta) |