Datasheet下载- 型号： IXFP6N120P
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFP6N120P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFP6N120P价格参考。IXYSIXFP6N120P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFP6N120P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFP6N120P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFP6N120P是一款N沟道增强型功率MOSFET，其主要应用场景包括以下方面： 1. 开关电源（SMPS） - IXFP6N120P适用于各种开关电源设计，例如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻（Rds(on) = 1.5Ω典型值）和高耐压能力（120V）使其能够高效地进行高频开关操作，减少能量损耗。 2. 电机驱动与控制 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，该器件可以作为开关元件使用。它能够快速响应PWM信号，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 逆变器与太阳能系统 - 此MOSFET可用于微型逆变器或离网太阳能系统的功率转换模块中，用于将直流电转换为交流电。其高效率和稳定性有助于提高系统的整体性能。 4. 负载切换与保护 - IXFP6N120P适合用作负载切换开关，在汽车电子、家用电器和其他需要动态负载管理的应用中提供过流保护和短路保护功能。 5. 音频放大器 - 在某些D类音频放大器设计中，这款MOSFET可以用作输出级开关，以实现高效的音频信号放大。 6. 电池管理系统（BMS） - 在锂电池或其他类型电池组的保护电路中，IXFP6N120P可用作充放电路径的开关，确保电池安全运行并防止过充或过放。 7. 工业自动化设备 - 它广泛应用于可编程逻辑控制器（PLC）、继电器替代方案以及工业机器人中的信号传输与功率控制。 总结来说，IXFP6N120P凭借其出色的电气特性，非常适合需要高效功率转换、快速开关响应及可靠保护的各种电子设备和系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220ABMOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFP6N120PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFP6N120P |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Qg-GateCharge | 92 nC |
| Qg-栅极电荷 | 92 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.75 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.75 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar, HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 系列 | IXFP6N120 |
| 通道模式 | Enhancement |
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