ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > 2SK3541T2L
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
2SK3541T2L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3541T2L由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3541T2L价格参考。ROHM Semiconductor2SK3541T2L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3。您可以下载2SK3541T2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK3541T2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的2SK3541T2L是一款N沟道功率MOSFET,主要应用于高电压、大电流场景。以下是其典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS): 该MOSFET适用于开关电源中的主开关管或同步整流器,支持高效的DC-DC转换和AC-DC转换电路。 2. 电机驱动: 用于工业电机控制、伺服系统或电动车窗/座椅调节等汽车电机驱动应用,提供高效的大电流驱动能力。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)中作为开关元件,实现直流到交流的高效转换。 4. 负载开关: 在需要快速切换大电流负载的应用中,如服务器电源管理或工业设备中,可作为负载开关使用。 5. 电子镇流器与照明: 用于荧光灯电子镇流器或LED驱动电路,提供稳定的电流输出以确保照明系统的高效运行。 6. 音频放大器: 在高保真音频功放中,作为输出级器件,提供低失真的大电流输出。 7. 电池管理系统(BMS): 用于保护电池组免受过充、过放或短路的影响,同时支持大电流充放电操作。 2SK3541T2L凭借其高耐压(高达1500V)、低漏源导通电阻以及优秀的开关特性,成为高压工业及汽车领域的重要选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V .1A VMT3MOSFET N-CH 30V .1A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor 2SK3541T2L- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK3541T2L |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 欧姆 @ 10mA,4V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 其它名称 | 2SK3541T2LCT |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | VMT-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100mA(Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |