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  • 型号: SI7174DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7174DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7174DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7174DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 75V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7174DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7174DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 75V 60A PPAK 8SOICMOSFET 75V 60A 104W 7.0mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

21 A

Id-连续漏极电流

21 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7174DP-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI7174DP-T1-GE3SI7174DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

6.25 W

Pd-功率耗散

6.25 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

11 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2770pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

72nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 毫欧 @ 10A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SI7174DP-T1-GE3TR
SI7174DPT1GE3

典型关闭延迟时间

38 ns

功率-最大值

104W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

系列

SI71xxDx

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI7174DP-GE3

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