Datasheet下载- 型号： FQB9N08TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB9N08TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB9N08TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB9N08TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB9N08TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB9N08TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB9N08TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于功率场效应晶体管。该器件常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，适用于笔记本电脑、服务器及通信设备的电源模块。 2. 电机控制：用于电动工具、家用电器和工业自动化中的直流电机驱动电路。 3. 负载开关：作为高效电子开关，用于管理电池供电设备中的电源分配。 4. 照明系统：在LED照明驱动电路中用作功率调节元件。 5. 汽车电子：应用于车载充电系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压（80V）和较强电流承载能力（约9A），适合高频开关应用，有助于提升系统效率并减小散热设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB9N08TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 210 毫欧 @ 4.65A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.3A （Tc） |
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