Datasheet下载- 型号： SIR166DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR166DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR166DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR166DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR166DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR166DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIR166DP-T1-GE3是一款N沟道增强型功率MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动与控制：在小型直流电机驱动应用中，SIR166DP-T1-GE3可作为开关元件使用，实现对电机速度和方向的精准控制。它能够承受一定的电流波动并保持稳定运行。 3. 负载切换与保护电路：此型号适合用作负载切换开关，在设备待机或关断时切断负载电流，从而降低功耗；同时也能构建过流保护机制以保障系统安全。 4. 电池管理系统（BMS）：在锂电池组等能源存储系统的充放电管理中，该器件可用于平衡各单体电压、防止过充过放以及提供短路保护等功能。 5. DC-DC转换器：凭借其优异的动态性能和耐压能力，SIR166DP-T1-GE3非常适合高频DC-DC转换应用，确保高效能量转换的同时维持较小的体积尺寸。 6. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑及笔记本电脑周边配件里，这款MOSFET常被用来优化电源管理和热性能表现，满足紧凑空间内的严格要求。 总之，SIR166DP-T1-GE3凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于消费类电子产品、工业自动化、通信基础设施等多个领域中的功率控制环节。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8MOSFET 30V 40A N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR166DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR166DP-T1-GE3SIR166DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| Qg-GateCharge | 51 nC |
| Qg-栅极电荷 | 51 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V to 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V to 2.2 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3340pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR166DP-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 75 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR166DP-GE3 |
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