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  • 型号: BUK7880-55,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7880-55,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7880-55,135价格参考。NXP SemiconductorsBUK7880-55,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK7880-55,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7880-55,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 BUK7880-55,135 的晶体管由品牌 NXP USA Inc. 生产,属于 MOSFET - 单 类别。它是一款高性能的功率 MOSFET,广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。

该器件的主要应用场景包括:

1. 电源转换器与稳压器:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)及电压调节模块,提供高效的电能转换。
2. 电机控制:适用于电动工具、家用电器和工业设备中的直流电机驱动与控制。
3. 负载开关:在电池供电设备或智能电源管理系统中作为高边或低边开关使用。
4. 照明系统:如LED照明驱动电路中实现调光与恒流控制。
5. 汽车电子:用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。

其优势在于导通电阻低、开关速度快、热稳定性好,适合高频开关应用。封装形式为DPAK(TO-252),便于散热与安装。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223MOSFET TAPE13 PWR-MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.5 A

Id-连续漏极电流

3.5 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7880-55,135TrenchMOS™

数据手册

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产品型号

BUK7880-55,135

Pd-PowerDissipation

1800 mW

Pd-功率耗散

1.8 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

65 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

65 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

上升时间

15 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-73

其它名称

934050520135
BUK7880-55 /T3
BUK7880-55 /T3-ND

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

1.8W

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

4,000

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.5A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

零件号别名

/T3 BUK7880-55

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