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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS3016DC由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS3016DC价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS3016DC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMS3016DC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS3016DC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS3016DC 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,常用于需要高效功率转换与控制的场合。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能,适用于多种电源管理与功率电子应用。 主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于高效转换和调节电压。 2. 负载开关:在电池供电设备中作为电子开关,控制电源通断,提高系统效率。 3. 电机驱动:用于小型电机或步进电机的驱动电路中,实现快速开关控制。 4. LED照明驱动:作为开关元件用于LED恒流驱动电路中,提升能效。 5. 保护电路:如过流保护、电压反接保护等电路中作为控制元件。 6. 汽车电子:适用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 其封装形式为DPAK(TO-252),便于散热和安装,适合中等功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFNMOSFET 30V N-Channel Dual Cool PwrTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS3016DCDual Cool™, PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS3016DC |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Qg-栅极电荷 | 10.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1385pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 12A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 其它名称 | FDMS3016DCCT |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 90 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | Power 56-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Ta), 49A (Tc) |
| 系列 | FDMS3016DC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |