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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCPF7N60YDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCPF7N60YDTU价格参考¥3.37-¥3.37。Fairchild SemiconductorFCPF7N60YDTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FCPF7N60YDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCPF7N60YDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCPF7N60YDTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。该器件具有7A电流承载能力和600V的漏源击穿电压,适用于中高功率开关应用。 常见应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源转换电路中,作为主开关管使用,具有高效率和低导通损耗的优点。 2. LED照明系统:在LED驱动电源中用于DC-DC转换器或PFC(功率因数校正)电路,支持高频率开关操作,有助于减小电源体积并提升能效。 3. 工业电源与电机控制:适用于工业自动化设备中的电源模块、变频器及小型电机驱动电路,具备良好的热稳定性和耐压能力。 4. 家电控制电路:如电磁炉、洗衣机、空调等家用电器中的功率控制部分,用于实现对负载的高效开关控制。 5. 新能源系统:如太阳能逆变器、储能系统中的DC-AC转换电路,该MOSFET的高耐压和良好导通性能可满足新能源系统对效率和稳定性的要求。 该器件采用DPAK(TO-252)封装,便于散热和安装,适合表面贴装工艺,广泛应用于各类中小型功率电源系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FMOSFET 600V N-Channel SuperFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCPF7N60YDTUSuperFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCPF7N60YDTU |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 31 W |
| Pd-功率耗散 | 31 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 3.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 31W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.565 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 600 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 6 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |
| 系列 | FCPF7N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |