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Datasheet下载- 型号： C2M0160120D
- 制造商： Cree
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供C2M0160120D由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C2M0160120D价格参考。CreeC2M0160120D封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 1200V 19A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3。您可以下载C2M0160120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有C2M0160120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed 的 C2M0160120D 是一款碳化硅（SiC）金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），具有出色的性能和广泛的应用场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 工业电源 C2M0160120D 适用于高效率的工业电源系统，如不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）等。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，SiC MOSFET 的高温耐受性使得它在恶劣环境下也能稳定工作。 2. 太阳能逆变器 在太阳能发电系统中，C2M0160120D 可用于光伏逆变器的核心电路。SiC MOSFET 的高频开关能力和低开关损耗有助于提高逆变器的转换效率，减少热量产生，从而延长设备寿命并降低维护成本。 3. 电动汽车（EV）充电站 该器件在电动汽车充电基础设施中表现出色，特别是在直流快充桩中。由于其高效的开关特性和高耐压能力（1200V），C2M0160120D 能够支持大电流、高电压的充电需求，缩短充电时间，提升用户体验。 4. 电机驱动 在电机驱动应用中，如电动车辆、工业机器人和自动化设备，C2M0160120D 提供了优异的动态响应和控制精度。其快速的开关速度和低导通损耗可以有效提高电机的能效，减少能量浪费。 5. 电信和数据中心电源 对于需要高可靠性和高效能的电信设备和数据中心，C2M0160120D 是理想的电源管理解决方案。其紧凑的设计和高效的散热性能使得它能够在有限的空间内提供更高的功率密度，同时保持较低的工作温度。 6. 风力发电变流器 在风力发电系统中，C2M0160120D 可用于变流器的关键部分，帮助将不稳定的风能转换为稳定的电网电力。其宽禁带半导体材料的优势使其能够在极端条件下保持稳定运行，确保系统的高可靠性。 总之，C2M0160120D 凭借其卓越的电气性能和耐用性，适用于各种对效率、可靠性和耐用性要求极高的应用场景，尤其是在新能源和工业自动化领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 17.7 A |
| 品牌 | Cree, Inc. |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Cree, Inc. C2M0160120DZ-FET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | C2M0160120D |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 32.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 32.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 10 V, + 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 10 V, + 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 500µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 527pF @ 800V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32.6nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 196 毫欧 @ 10A， 20V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 功率耗散 | 125 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Cree, Inc. |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 160 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 技术 | SiC |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 32.6 nC |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 4.1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 1.2 kV |
| 漏极连续电流 | 17.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/c2m-family-of-silicon-carbide-power-mosfets/52365 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17.7A （Tc） |
| 相关产品 | /product-detail/zh/CRD-001/CRD-001-ND/4199824 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 10 V, + 25 V |
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