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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供C4D10120D由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C4D10120D价格参考。CreeC4D10120D封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 9A Through Hole TO-247-3。您可以下载C4D10120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有C4D10120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed的C4D10120D是一款高性能、高可靠性SiC(碳化硅)二极管整流器阵列,广泛应用于对效率和可靠性要求极高的电力电子系统中。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电动汽车(EV)充电系统 C4D10120D在电动汽车的快速充电站中发挥重要作用。由于其高耐压(1200V)和低反向恢复电荷(Qrr),能够有效减少开关损耗,提高充电效率。尤其适用于直流快充系统,确保在高功率输出时保持高效稳定的工作状态。 2. 光伏逆变器 在太阳能光伏发电系统中,C4D10120D用于将直流电转换为交流电的逆变器中。其优异的开关特性有助于提高逆变器的效率,降低能量损失,特别是在高温环境下表现出色,延长了系统的使用寿命。 3. 工业电源 该器件适用于各种工业电源设备,如不间断电源(UPS)、焊接电源等。其高可靠性和抗浪涌能力使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作,确保电源系统的持续运行。 4. 电机驱动 在电机驱动应用中,C4D10120D可以用于变频器和伺服驱动器中的整流部分。其快速的开关速度和低损耗特性有助于提高电机驱动系统的响应速度和能效,特别适合于大功率电机的应用场景。 5. 储能系统 C4D10120D还广泛应用于电池储能系统(BESS)中,尤其是在双向DC-DC变换器中。其高效的整流性能有助于减少能量转换过程中的损耗,提升储能系统的整体效率。 6. 航空航天与军事 由于其出色的可靠性和耐高温特性,C4D10120D也被用于航空航天和军事领域的电源系统中,确保在极端环境下的稳定运行。 总之,C4D10120D凭借其卓越的性能和可靠性,成为多种高功率、高效率电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 1200V 9A TO247肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x5A |
| 产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Cree, Inc. |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Cree, Inc. C4D10120DZ-Rec™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | C4D10120D |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.8V @ 5A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 150µA @ 1200V |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 0ns |
| 商标 | Cree, Inc. |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 峰值反向电压 | 1.2 kV |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 恢复时间 | - |
| 技术 | SiC |
| 最大二极管电容 | 390 pF |
| 最大功率耗散 | 187 W |
| 最大反向漏泄电流 | 150 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 46 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向电压下降 | 1.8 V |
| 正向连续电流 | 10 A |
| 热阻 | 0.8°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 1200V(1.2kV) |
| 电流-平均整流(Io)(每二极管) | 9A |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA(Io) |
| 配置 | Dual |