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Datasheet下载- 型号： FDD16AN08A0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD16AN08A0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD16AN08A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDD16AN08A0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD16AN08A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD16AN08A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD16AN08A0 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别，广泛应用于多种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：FDD16AN08A0 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 20 mΩ）和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - 直流-直流转换器：在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器使用，提高效率并减少功耗。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于驱动风扇、泵或其他小型直流电机，提供高效且可靠的开关性能。 - H 桥电路：在双向电机控制应用中，作为 H 桥的一部分实现电机的正转和反转。 3. 负载开关 - 在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中用作负载开关，控制不同电路模块的供电状态，降低待机功耗。 4. 电池管理 - 保护电路：用于锂电池或铅酸电池的充放电保护电路中，防止过流、短路等问题。 - 均衡电路：在多节电池组中，用于电池单元间的电压均衡。 5. 工业自动化 - 固态继电器：替代传统机械继电器，用于高可靠性、长寿命的开关应用。 - 传感器接口：驱动工业传感器或执行器，确保信号传输的稳定性和效率。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅调节器等需要低功耗和高可靠性的场合。 - LED 照明驱动：用于驱动汽车内外 LED 灯，提供稳定的电流输出。 7. 消费类电子产品 - 家电控制：如空调、冰箱、洗衣机等家电中的风扇或压缩机控制。 - 音频设备：在功率放大器中用作开关元件，实现高效的音频信号处理。 总结 FDD16AN08A0 凭借其低导通电阻、高电流能力（最大 drain 电流可达 16 A）以及出色的热性能，适用于各种需要高效功率转换和开关的应用场景。其紧凑的封装形式（如 DPAK 或 SO-8）也使其成为空间受限设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 50A D-PAKMOSFET 75V 50a .16Ohms/VGS=1V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD16AN08A0UltraFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD16AN08A0 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 135 W |
| Pd-功率耗散 | 135 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 54 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1874pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 其它名称 | FDD16AN08A0CT |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 135W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta）， 50A （Tc） |
| 系列 | FDD16AN08A0 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDD16AN08A0_NL |
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