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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF7N10L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF7N10L价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF7N10L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF7N10L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF7N10L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF7N10L 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率控制领域。其应用场景主要包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC和DC-DC转换器,提供高效能的电力转换。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机控制系统中作为功率开关使用。 3. 负载开关与继电器替代:用于实现高效率、低功耗的电子开关功能。 4. 电池管理系统(BMS):用于电动工具、电动车及储能系统的充放电控制电路中。 5. 照明系统:如LED驱动电源,用于调节电流或作为主开关元件。 6. 逆变器与UPS系统:在不间断电源和光伏逆变器中用作功率开关器件。 该器件具有低导通电阻、快速开关特性和较高的耐压能力(100V),适合中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 5.5A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FQPF7N10L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 350 毫欧 @ 2.75A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 23W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.5A (Tc) |