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  • 型号: FQPF7N10L
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF7N10L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF7N10L价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF7N10L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF7N10L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF7N10L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF7N10L 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率控制领域。其应用场景主要包括:

1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC和DC-DC转换器,提供高效能的电力转换。

2. 电机驱动:在直流电机或步进电机控制系统中作为功率开关使用。

3. 负载开关与继电器替代:用于实现高效率、低功耗的电子开关功能。

4. 电池管理系统(BMS):用于电动工具、电动车及储能系统的充放电控制电路中。

5. 照明系统:如LED驱动电源,用于调节电流或作为主开关元件。

6. 逆变器与UPS系统:在不间断电源和光伏逆变器中用作功率开关器件。

该器件具有低导通电阻、快速开关特性和较高的耐压能力(100V),适合中高功率应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 5.5A TO-220F

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQPF7N10L

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

290pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

350 毫欧 @ 2.75A,10V

供应商器件封装

TO-220F

功率-最大值

23W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.5A (Tc)

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